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Ergebnisliste für GND-ID= "DE-588 4179945-8"; Sortiert nach: Jahr, dann Urheber

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Titel 1 - 20 von 24  
 
 
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# Urheber Titel Jahr Bestand
1
Choi, Jung Han, 1973- A Si Schottky diode demultiplexer circuit for high bit rate receivers / Jung Han Choi. - Als Ms. gedr.. - (Fortschritt-Berichte / VDI : Reihe 21, Elektrotechnik ; Nr. 375) 

URL: http://digitale-objekte.hbz-nrw.de/storage/2007/05/15/file_23/1767121.pdf
Inhaltsverzeichnis

 2006 
     
2
Denzner, Michael, 1969- Umrichtersystem für sinusförmige Ein- und Ausgangsgrößen mit hohen Pulsfrequenzen und optimierten Filtern / vorgelegt von Michael Denzner



2004 
     
3
Weiß, Roland, 1972- Herstellung, Untersuchung und Modellierung von Schottky-Dioden mit ionenimplantierter Randfeldbegrenzung auf Siliciumcarbid / Roland Weiss. - (Erlanger Berichte Mikroelektronik ; 2004,1) 



2004 
     
4
Lin, Chih-I, 1966- Hybrid- und monolithisch-integrierte THz-Elektronik mit Pt, n-GaAs-Schottkydioden / Chin-I Lin. - (Berichte aus der Hochfrequenztechnik) 



2001 
     
5
Leinhos, Thomas Mikromechanische Herstellung thermischer Nahfeldsensoren auf der Basis von Schottky-Dioden [Elektronische Ressource] / von Thomas Leinhos



2001 
     
6
Birk, Martin, 1970- Integrierte Pikosekunden-Zeitbereichsmeßtechnik auf Silizium / Martin Birk. - (Berichte aus der Elektrotechnik) 



2000 
     
7
Kneifel, Marcus, 1968- Unipolare Siliziumkarbid-Leistungsbauelemente / Marcus Kneifel. - Als Ms. gedr.. - (Fortschritt-Berichte VDI : Reihe 9, Elektronik ; 273) 

URL: http://digitale-objekte.hbz-nrw.de/storage2/2018/07/15/file_4/8114064.pdf
Inhaltsverzeichnis

 1998 
     
8
Lerner, Christian Elektrisch detektierte magnetische Resonanz in Bauelementen aus a-Si:H / Christian Lerner. - Als Ms. gedr.. - (Berichte aus der Physik) 



1998 
     
9
Shaalan, Mohamed Quasioptical monolithic submillimetre wave frequency multipliers / Mohamed Shaalan. - Als Ms. gedr.. - (Berichte aus der Hochfrequenztechnik) 



1998 
     
10
Vescan, Andrei Herstellung und Charakterisierung elektronischer Bauelemente auf bordotierten homoepitaktischen Diamantschichten / Andrei Vescan. - Als Ms. gedr.. - (Berichte aus der Halbleitertechnik) 



1998 
     
11
Simon, Ansgar Konzeption und Technologieentwicklung von Schottkydioden für Anwendungen im Terahertzbereich / Ansgar Simon. - Als Ms. gedr.. - (Berichte aus der Elektrotechnik) 



1997 
     
12
Karg, Siegfried Ladungstransport und Elektrolumineszenz in Polymer-Metall-Dioden / vorgelegt von Siegfried Karg. - 1. Aufl.



1995 
     
13
Becker, Thomas Untersuchungen an Supraleiter-Halbleiter-Hybridbauelementen im System Niob, Silizium / Thomas Becker. - (Berichte des Forschungszentrums Jülich ; 2905) 



1994 
     
14
Radermacher, Klaus, 1964- Strukturelle und elektrische Eigenschaften von epitaktischen, metallischen und halbleitenden Siliziden / Klaus Radermacher. - (Berichte des Forschungszentrums Jülich ; 2792) 



1993 
     
15
Grüb, Andreas Technologieentwicklung für Terahertz-Schottkydioden und Nanometerstrukturen. - Als Ms. gedr.. - (Fortschrittberichte VDI : Reihe 21 ; 110) 



1992 
     
16
Krozer, Viktor Verfahren der Kleinsignal- und Großsignal-Analyse und Charakterisierung von Mikrowellenschaltungen und Bauelementen mit Hilfe der Volterra-Reihe / Viktor Krozer. - Als Ms. gedr.. - (Fortschrittberichte VDI : Reihe 9 ; 142) 



1992 
     
17
Herrmann, Karl Untersuchungen zum Submillimeterwellen-Empfang bei 600 GHz mit dem System Whisker-Antenne- Schottky-Diode



1984 
     
18
Huber, Elmar J. Untersuchung der Lichtemission beim Lawinendurchbruch von GaAs-Schottkydioden / von Elmar Josef Huber



1983 
     
19
Siemens Aktiengesellschaft. Unternehmensbereich Bauelemente [Herausgebendes Organ] Schottky-Gleichrichterdioden, Module / Siemens Ag, Bereich Bauelemente



1983-19
     
20
Narzinski, Karl-Heinz Schottky-Diodentore als schnelle Schalter in Serientor-Sampling-Leitungen



1982 
     


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