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Ergebnisliste für GND-ID= "DE-588 4830042-1"; Sortiert nach: Jahr, dann Urheber

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Titel 1 - 8 von 8  
 
 
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# Urheber Titel Jahr Bestand
1
Park, Byung-Eu [Herausgeber] Ferroelectric-gate field effect transistor memories / Byung-Eun Park, Hiroshi Ishiwara, Masanori Okuyama, Shigeki Sakai, Sung-Min Yoon, editors. - Second edition. - (Topics in applied physics ; volume 131) 



2020 
     
2
Schorn, Peter Jörg, 1973- Untersuchung der Ausfallmechanismen in ferroelektrischen PZT-Dünnschichten zur Verwendung in Speicherkondensatoren / Peter Jörg Schorn. - (Berichteaus der Halbleitertechnik) 



2007 
     
3
Ellerkmann, Ulrich, 1972- Impact of the interface capacity on failure mechanisms and size effects in ferroelectric thin films / Ulrich Ellerkmann. - (Berichte aus der Halbleitertechnik) 



2006 
     
4
Fitsilis, Michael, 1976- Scaling of the ferroelectric field effect transistor and programming concepts for non-volatile memory applications / vorgelegt von Michael Fitsilis



2005 
     
5
Mört, Manfred, 1968- Scaling effects in lateral size and thickness of SrBi 2 Ta 2 O 9 thin films for integration into ferroelectric random access memory devices / Manfred Mört. - (Berichte aus der Elektrotechnik) 



2005 
     
6
Tiedke, Stephan Elektrische Charakterisierung ferroelektrischer Nanostrukturen in Hinblick auf die Verwendung in nicht-flüchtigen Speicherbausteinen / Stephan Tiedke. - (Berichte aus der Elektrotechnik) 



2005 
     
7
Fitsilis, Michael, 1976- Scaling of the ferroelectric field effect transistor and programming concepts for non-volatile memory applications [Elektronische Ressource] / vorgelegt von Michael Fitsilis

URL: http://sylvester.bth.rwth-aachen.de/dissertationen/2005/044/05_044.pdf
URL: http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:hbz:82-20050444

 2005 
     
8
Fitsilis, Fotios, 1975- MOCVD of high-k ceramic thin films for the Gbit DRAM technology / Fotios Fitsilis. - (Berichte des Forschungszentrums Jülich ; 4001) 



2002 
     


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